PRODUCTOS
Componentes de implantación de iones de tungsteno
Material: tungsteno, aleación de tungsteno
Características
Material: | Tungsteno, aleación de tungsteno |
Pureza: | 99% |
Forma: | Según los dibujos |
Tamaño: | Según los dibujos |
Descripción de los componentes de implantación de iones de tungsteno
El tungsteno es un metal duro con una apariencia blanca brillante y plateada. Es resistente a la oxidación y al ataque de ácidos y álcalis. Es un metal voluminoso y tiene el punto de fusión más alto de cualquier metal. El nombre químico del tungsteno es wolframio, representado por W. Su número atómico es 74 y pertenece a la categoría de metales de transición, período 6 de la tabla periódica.
La implantación de iones es un proceso importante que se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores, el acabado de metales y la investigación en ciencia de materiales. Es un proceso de baja temperatura a través del cual los iones de un elemento se aceleran en un objetivo sólido, cambiando así las propiedades físicas, químicas o eléctricas del objetivo.
El implantador de iones es el equipo clave en la fabricación de circuitos integrados. Cuando los haces de iones se disparan sobre la superficie del semiconductor y se depositan, se cambia la concentración del portador y el tipo de conducción. Debido a su excelente modificación de la superficie, la implantación de iones se aplica ampliamente en material semiconductor, metal, cerámica, polímero de alto molecular, etc.
La implantación de iones es esencial en la fabricación de circuitos integrados masivos (CI). Los componentes de la implantación de iones a menudo están hechos de TZM, molibdeno y tungsteno porque estos materiales podrían funcionar bien en entornos hostiles debido a su resistencia a la corrosión, resistencia y alta conductividad térmica. La parte más importante de un sistema implantador es la trayectoria del haz en la que se enganchan los componentes. Aquí, los iones se generan, concentran, aceleran y dirigen hacia la oblea.
Productos para la industria de semiconductores
Cámaras (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Filamentos (aleaciones de tungsteno y tungsteno)
Ranuras de arco (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Soportes (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Cátodos (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Repuestos (tungsteno, molibdeno y aleaciones, cerámica, acero)
Especificación y composición química
Material | Tipo | Composición química (por wt.) |
Tungsteno puro | W1 | >99,95%min. Mo |
Aleación de cobre de tungsteno | WCu | 10% ~ 50% Cu / 50% ~ 90% W |
Aleación pesada de tungsteno | WNiFe | 1,5 % - 10 % Ni, Fe, Mo |
Aleación pesada de tungsteno | WNiCu | 5 % - 9,8 % Ni, Cu |
Tungsteno Rhenium | WRe | 5,0 % Re |
Moly Tungsteno | MoW50 | 0,0 % O |
Propiedades químicas del tungsteno
Datos químicos | |
Número CAS | 7440-33-7 |
Sección transversal de neutrones térmicos | 19.2 graneros/átomo |
Potencial del electrodo | 4,5 V |
Radio iónico | 0,620 Å |
Electro negatividad | 1.7 |
Borde de absorción de rayos X | 0.17837 Å |
Equivalente electroquímico | 3,43 g/A/h |
Propiedades físicas del tungsteno
Propiedades | Métrico | Imperial |
Densidad | 19,3 g/cm3 | 0,697 lb/pulg3 |
Punto de fusión | 3370 °C | 6100 °F |
Punto de ebullición | 5900 °C | 10700 °F |
Propiedades mecánicas del tungsteno
Propiedades | Métrico | Imperial |
Resistencia a la tracción | 980 MPa | 142000 psi |
Módulo de elasticidad | 400 GPa | 58000 ksi |
Módulo de cizallamiento | 156 GPa | 22600 ksi |
Relación de Poissons | 0.28 | 0.28 |
Dureza, Brinell | 294 | 294 |
Dureza, Vickers | 310 | 310 |
Dureza, Knoop | 318 | 318 |
Dureza, Rockwell A | 66 | 66 |
Dureza, Rockwell C | 31 | 31 |
Propiedades térmicas del tungsteno
Propiedades | Métrico | Imperial |
Coeficiente de expansión térmica (@20-100°C/68-212°F) | 4,40 μm/m°C | 2.44 μin/in°F |
Conductividad térmica | 163,3 W/mK | 1133 BTU in/hr.ft².°F |
Aplicaciones de componentes de implantación de iones de tungsteno e industrias relacionadas
● Fabricación de semiconductores
● Acabado metálico para el endurecimiento del acero de la herramienta y el acabado de la superficie
● Mezcla de haz de iones para lograr una interfaz graduada y fortalecer la adhesión entre material inmiscible
● Investigación y Laboratorio
● Semiconductor
● Metal
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