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Características
No CAS.: | 22398-80-7 |
Fórmula lineal: | En p |
Pureza: | 99,99 por ciento |
Apariencia: | Cristalino |
Descripción del fosfuro de indio
El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario compuesto de indio y fósforo. Tiene una estructura cristalina cúbica centrada en las caras ("zincblenda"), idéntica a la del GaAs y la mayoría de los semiconductores III-V.
El InP se puede preparar a partir de la reacción de fósforo blanco y yoduro de indio a 400 grados, también por combinación directa de los elementos purificados a alta temperatura y presión, o por descomposición térmica de una mezcla de un compuesto de trialquil indio y fosfina.
InP se utiliza en electrónica de alta potencia y alta frecuencia debido a su velocidad de electrones superior con respecto a los semiconductores más comunes de silicio y arseniuro de galio. Tiene una banda prohibida directa, lo que lo hace útil para dispositivos optoelectrónicos como diodos láser. InP también se utiliza como sustrato para dispositivos optoelectrónicos a base de arseniuro epitaxial de indio y galio.
Aplicaciones de fosfuro de indio e industrias relacionadas
● Componentes optoelectrónicos
● Electrónica de alta velocidad
● fotovoltaica
● Cerámica
● Energía Solar
● Investigación y laboratorio
Identificadores químicos
fórmula lineal | En p |
Número MDL | MFCD00016153 |
nº CE | 244-959-5 |
Beilstein/Reaxys No. | N/A |
CID de Pubchem | 31170 |
Nombre de la IUPAC | indiganilidinofosfano |
SONRISAS | [En p |
Identificador de pulgadas I | InChI=1S/In.P |
Clave de pulgadas | GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N |
Propiedades del fosfuro de indio (teóricas)
fórmula compuesta | En p |
Peso molecular | 145.79 |
Apariencia | Cristalino |
Punto de fusion | 1062 grados |
Punto de ebullición | N/A |
Densidad | 4.487-4.81g/cm3 |
Solubilidad en H2O | N/A |
Masa exacta | 145.87764 |
Masa monoisotópica | 145.87764 |
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